美国-普瑞光电( www.bridgelux.com )近日正式对外宣布其基于实验室的最新技术研发成就：每瓦135流明的基于硅衬底的氮化镓LED。

　　GaN-on-silicon LEDs 技术一直以来被业界认为是快速降低LED生产成本的利器，过去几年也一直是很多公司主要研发的方向。

　　普瑞光电相关负责人说，它的示范代表了行业的第一个商业硅衬底LED级芯片的性能极限。350mA的工作电流，仅为2.9伏的电压(或者3.25伏在1安培下)，规格为1.5mm*1.5mm，色温为 4730K，光效达到135lm/W。

　　这个LED是基于一个8英寸的硅晶片。普瑞认为，低成本的硅晶片基于现代半导体制造业可以提供的成熟制程工艺，与目前主流 4英寸蓝宝石晶圆相比，硅晶片的成本将下降75％ 。

　　普瑞同时指出，当前大直径蓝宝石和碳化硅衬底昂贵，加工难度大，一旦大批量生产，有时无法得到广泛应用。目前LED生产成本高抑制了家庭和商业建筑LED照明的广泛应用。

　　此外，硅衬底显示出低正向电压和优越的耐热性，这使得它们非常适用于高性能，照明级应用。同时8英寸硅片外延工艺能够很好的与现有自动化半导体线兼容。不过，普瑞还是注意到“当大批量生产时，需要改进目前在使用的一些其他材料，以消除与硅衬底制程工艺的不兼容。”

　　因为看到了硅衬底将来肯是LED产业的一个变革性技术工艺，在过去5年，普瑞首席技术官史蒂夫博士一直带领着研发团队悄然专注于硅上生长氮化镓的项目研发。

　　普瑞公司表示，其在硅GaN的性能水平相当于领先今天最先进的蓝宝石基LED 12-24个月的时间。

　　“普瑞的成就是对我们在硅材料及外延工艺技术领先优势，”普瑞公司首席执行官Bill Watkins表示，“显着降低成本的硅基LED技术使将显着减少固态照明的前期资本投资。在今后的短短两到三年，甚至对价格最敏感的市场，如商业和办公照明，住宅应用将快速无缝转化为固态照明。”